30-100v p-channel sgt-i mosfet概览
新洁能提供击穿电压等级范围为-30v至-100v的p沟道sgt-i系列功率mosfet产品。p沟道增强型功率mosfet在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得p沟道功率mosfet成为高端开关的理想选择。p沟道功率mosfet产品的选用可以简化栅极驱动，往往可以降低系统的总成本，为设计人员提供了一种新的选择。此外，p沟道功率mosfet产品利用空穴作为载流子进行导电，其迁移率低于n沟道功率mosfet中的载流子电子，同等情况下，p沟道功率mosfet产品导电性能弱于n沟道功率mosfet产品。
新洁能基于sgt-i技术的-30~-100v p沟道功率产品提供超低的导通电阻（rds(on)），为设计人员在简化系统复杂度、降低系统总成本的前提下，进一步提高系统效率与性能。广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。
p沟道sgt-i系列功率mosfet封装范围包括to-220、to-252、to-263、dfn5*6、sop-8等多种封装形式，为设计人员优化系统提供pg电子试玩的解决方案。
注："sgt mosfet"又称“super trench mosfet”。